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Dispositif de production d’ions radioactif SISSI

IN2P3-GANIL-ENGUERRAND-SISSI.jpg Dispositif Diaphane de l'IP2I et muographie à la Soufrière de GuadeloupeMiniaturesDispositif d'Irradiation Moléculaire DIAM de l'IP2I LyonDispositif Diaphane de l'IP2I et muographie à la Soufrière de GuadeloupeMiniaturesDispositif d'Irradiation Moléculaire DIAM de l'IP2I LyonDispositif Diaphane de l'IP2I et muographie à la Soufrière de GuadeloupeMiniaturesDispositif d'Irradiation Moléculaire DIAM de l'IP2I LyonDispositif Diaphane de l'IP2I et muographie à la Soufrière de GuadeloupeMiniaturesDispositif d'Irradiation Moléculaire DIAM de l'IP2I Lyon

SISSI (Source d’Ions Secondaires à Supraconducteurs Intense) a été de 1994 à 2006 le dispositif privilégié du GANIL pour la production de faisceaux d’ions radioactifs intenses. Il associait une cible de production à des solénoïdes supraconducteurs permettant de focaliser les ions produits au moyen de champs magnétiques pouvant atteindre 12 Teslas.

Auteur
J.M. Enguerrand, GANIL
Dimensions
1404*1249
Fichier
IN2P3-GANIL-ENGUERRAND-SISSI.jpg
Poids
518 Ko
Mots-clés
50ansIN2P3
Visites
962
Téléchargements
1

Données EXIF

DateTimeOriginal
2001:01:17 13:11:44