Photothèque des laboratoires de l'IN2P3

Spectrométrie de masse des ions secondaires (SIMS)


Modèle : Compact SIMS d’Hiden Analytical.
Le SIMS « statique »
– Intensité faible des ions incidents ( 1nA/cm2) pulvérisation faible.
– Spectre surface avec m compris entre 0 et 300 amu.
– Analyse chimique (qq nm).
Le SIMS « dynamique »
– Intensité importante des ions incidents ( 1mA/cm2) pulvérisation forte (> 10µm/h).
– Analyse élémentaire en fonction de la profondeur.
– Méthode destructrice.
Faisceau :
– Energie/courant:1 to 5 keV / up to 400nA
– Gaz: Oxygène ou Argon
– Taille faisceau : < 50μm (imagerie) ,80 μm en profilométrie
– Résolution : 2 nm
– Détection qq ppm at

Auteur

Dominique Longieras / IJCLab

Créée le

Mardi 21 Février 2023

Ajoutée le

Mercredi 22 Novembre 2023

Dimensions

5859*4370

Fichier

1_c_p_spectrometrie_masse_ions_secondaires_SIMS_00234.jpg

Poids

2060 Ko

Mots-clés

campus d'Orsay, CNRS, faisceaux, IJCLab, ions, laboratoire des 2 infinis irene joliot-curie, plateforme Vide & Surfaces, spectrométrie

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• Laboratoires de recherche \ IJCLab - Laboratoire de Physique des 2 Infinis Irène Joliot-Curie \ Pôles de Recherche \ Physique des Accélérateurs \ Plateforme Vide & Surfaces / MAVERICS - MATERIALS-VACUUM-SUPERCONDUCTING-RF

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251

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2023:02:21 14:50:39

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Données IPTC

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20230221

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