Puce silicium Shunt LDO (©CPPM)

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✔ M - moyen (792 x 528)
✔ L - grand (900 x 600)

Puce silicium Shunt LDO (©CPPM) en technologie TJ180nmn micro-câblée sur circuit imprimé pour des tests de caractérisation de la technologie Depleted CMOS en vue de futurs projets tels que Belle II

Auteur: Camille Moirenc
Créée le: Vendredi 27 Novembre 2020
Ajoutée le: Lundi 12 Décembre 2022
Dimensions: 900*600
Fichier: 139_MOIRENC_CPPM_NOV2020.jpg
Poids: 121 Ko
Mots-clés: capteur CMOS, CPPM, Puce
Albums: Laboratoires de recherche \ CPPM - Centre de physique des particules de Marseille \ Instrumentation et Technologies \ Activités Electronique
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